简介:采用单辊法制备了宽20mm、厚25μm的Fe78Si9B13合金带材,用绕带机将其绕制成环型磁芯,然后将磁芯进行退火处理,结果表明,随着退火温度的升高,Fe78Si9B13非晶磁芯的初始磁导率m、饱磁感应强度Bs和矫顽力Hc呈先增大后减小的趋势,当退火温度达到450℃时,磁化曲线呈现出一定的线性关系,即恒导磁特性。将经4500(=/100min退火的Fe78Si9B13非晶磁芯用环氧树脂进行封装后,环氧封装后μi和Bs减小,而Hc和损耗Ps增大,磁化曲线和损耗曲线的形状与封装前相同。
简介:以La(NO3)3·nH2O、Pr(NO3)3·6H2O、Ni(NO3)3·6H2O为原料,丙氨酸为分散剂,采用低温燃烧法合成了(x=0.1~0.9)系列钙钛矿型复合氧化物。用TGDSC、XRD、TPR、SEM等表征手段对样品进行表征。结果表明,La0.5Pr0.5NiO3在650℃开始形成稳定的钙钛矿结构,焙烧800℃时,表面晶粒均匀;随着Pr的取代度增大,Pr离子未能完全进入LaNiO3晶格中A位,以氧化物的形式存在于钙钛矿晶体表面,同时La1-xPrxNiO3表面存在两种不同活性的氧物种,缺陷氧结构数量随着取代度的增大而增大。
简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。