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Resistive switching effects in oxide sandwiched structures

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摘要抵抗切换(RS)行为为数据存储由于他们的有希望的潜力吸引了大兴趣。在各种各样的材料之中，基于氧化物的设备看起来就他们有互补金属氧化物半导体技术的方便制造和相容性而言更有益，尽管内在的机制由于RS行为的差异仍然是争论的。在这评论，我们集中于基于氧化物的RS记忆，工作机制能根据一个所谓的细丝模型的意见基本上在被理解。细丝形成/破裂进程，途径发展了检测并且描绘细丝，在基于氧化物的抵抗随机改进RS和量传导力行为的表演的几次有效尝试存取存储器(RRAM)设备分别地被探讨。

DOI g4q585pr48/1177048

作者 Xiao-Jian ZHU

机构地区不详

出处《材料科学前沿：英文版》 2012年3期

关键词氧化物系电阻式开关效应随机存取存储器结构 CMOS技术

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2012年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

材料科学前沿：英文版

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