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日立开发80Gbit光通信IC

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摘要 <正>据《OplusE》(日)2003年第9期报道,日立制作所正着手开发使用SiGe衬底的80Gbit光通信IC。高速光通信IC通常使用价格昂贵的GaAs衬底等化合物半导体材料。日立制作所采用分割多重技术,并使用SiGe衬底材料,使低价格优质产品投放市场。随着高速化光通信网的快速发展,80Gbit光通信IC的需求不断增加,开发SiGe衬底80GbitIC是对GaAsIC的一次挑战。

DOI n495y0r9dy/1563759

作者孙再吉

机构地区不详

出处《半导体信息》 2004年1期

关键词日立制作所光通信网 Gbit IC SIGE 产品投放市场

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2004年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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