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Fairchild推出80 V MOSFET器件

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摘要 <正>飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOS-FET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5nCMiller电荷(Qgd),比相

DOI ojz7x02z45/1563822

作者章从福

机构地区不详

出处《半导体信息》 2005年3期

关键词飞兆半导体开关电源设计同步整流 FAIRCHILD V MOSFET

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2005年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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