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三菱SiC二极管逆变器:功率损耗减少18%

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摘要 <正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

DOI g4qnk5zr48/1564048

作者吴琪乐

机构地区不详

出处《半导体信息》 2011年6期

关键词逆变器 SiC 功率损耗功率元件输出功率额定电流

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2011年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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