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第三代STripFET^TM实现了通态电阻与栅极电荷之间的最佳折衷——电信和计算机用的DC-DC变换器的新效率标准

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摘要为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。

DOI y2d3x6eld9/228919

作者 G．贝尔沃德;F．迪乔瓦尼;A．马格里;M．梅利托

机构地区不详

出处《电力电子》 2004年3期

关键词 STripFET^TM 通态电阻栅极电荷电信计算机 DC-DC变换器

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2004年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

电力电子

2004年3期

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