首页 > 《中国工程物理研究院科技年报》 > 2003年1期 > 中低温稠密等离子体电子压强的自洽场计算

中低温稠密等离子体电子压强的自洽场计算

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要温度从室温到10ev的状态方程一直是实验室和工程应用中关心的重要问题，在这个温度范围内存在大量的实验状态方程数据，对各色各样的理论模型提出了强烈的挑战，对低温稠密等离子体而言，TF模型的计算结果不再令人满意。Zink在早些时候对TF模型作了非自洽的电子壳层效应修正，但他给出的壳层效应明显太强了。Rozsnyai则把Zink的方法发展成一种成熟的自洽场方法，但他只计算了电子的动压，在低温情况下，压强的走向不对，无法在常温常密度附近形成固体。

DOI g4q00qorj8/349648

作者朱希睿;孟续军

机构地区不详

出处《中国工程物理研究院科技年报》 2003年1期

关键词稠密等离子体电子压强自洽场计算模型状态方程

分类 [理学][物理]

出版日期 2003年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）