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Effect of Nano-sized CeO2 Abrasives on Chemical Mechanical Polishing of Silicon Wafer

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摘要 (CMP)软层的概念第一次在化学机械擦亮期间被建议。软层是在它是的硅表面上形成的反应层比硅衬底和它的厚度软是大约几纳米。软层的Theexistence能增加一个粒子移开的材料体积并且在CMP期间增加材料移动率。同时，软层能减少磨料粒子的切的深度以便认识到可锻的磨擦，并且减少是有用的擦亮的表面并且到的粗糙改进擦亮的质量。

DOI wjv5w9x6d7/427498

作者 ZHANG Bao-sen;CHEN Yang

机构地区不详

出处《半导体光子学与技术：英文版》 2006年2期

关键词 CMP 铈氧化物化学效应硅晶片

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2006年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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