具有侧面柱状结构的高压 LED芯片制备

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摘要 摘要: LED 作为一种节能环保的固态半导体光源,已经越来越得到各国政府的重视,优异的性能使其在照明领域扮演着越来越重要的角色。大功率 LED 是目前应用最广泛的,但是传统大功率 LED 需大电流驱动,导致器件出现严重的热耗,光出射效率低, Droop 效应严重,电流扩展差。以上这些现象都会导致器件严重老化甚至烧毁。同时,大电流驱动对于散热铝壳要求比较严格,导致照明灯具成本居高不下,限制了 LED 的照明普及。为了解决大电流驱动带来的问题,人们提出了高压 LED 的概念。简单而言,高压 LED 就是把一个芯片的外延层分割成数个独立的芯粒单元,并通过电极互连而构成的新型 LED 芯片。由于使用的是低电流驱动,高压 LED 器件具有更高的可靠性,同时又简化了匹配电源,可使用具有更少电子元器件的驱动电源,减小了电源中元器件之间能量转换的损失。
出处 《中国电业》 2020年03期
出版日期 2020年05月25日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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