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IGBT发展概述

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摘要本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近（下层）结构改进（透明集电区）、耐压层附近（中层）结构改进（NPT、FS／SPT等）和近表面层（上层）结构改进（沟槽栅结构、注入增强结构等），以及由它们组合成的NPT—IGBT、TrenchIGBT、FS—IGBT、TrenchFS-IGBT、SPT、SPT＋、IEGT、HiGT、CSTBT等。

DOI n49e13oqdy/474211

作者亢宝位

机构地区不详

出处《电力电子》 2006年5期

关键词 IGBT 结构改进性能改进增强结构 IEGT SPT

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2006年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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电力电子

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