IDT推出针对工控、医疗成像和通信等应用的下一代双口RAM

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摘要 IDT公司宣布,其不断扩大的多RAM系列又添两个新型双HRAM器件。从工业控制到医疗成像和通信,新的9Mb和4Mb双端口器件可实现高达200MHz的性能,以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用1.8V内核电压,比现有解决方案的功耗更低。
作者
机构地区 不详
出版日期 2008年09月19日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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