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一种基于零点跟随的宽负载范围模拟LDO设计

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摘要摘要：介绍了一种基于零点跟随的模拟LDO设计。无电容（Capacitorless, CL）低压降稳压器（Low-Dropout Regulators, LDO）在无需外接电容的情况下为负载点电压调节带来了重要的研究兴趣。该模拟LDO的采用65 nm CMOS工艺制造，支持在标准1伏输入和0.8伏输出下最大50毫安的负载电流。仿真结果显示，其PSR在高达10Mhz的频率下优于-20dB，电流效率峰值达到99.3%。对全负载阶跃的瞬态响应测量，展示了LDO在广泛的负载电流内的稳定运行性能。

DOI rdx99o73yd/8396173

作者陈般般

机构地区（湖南大学物理与微电子科学学院，湖南长沙 410082）

出处《中国科技信息》 2024年7期

关键词 LDO 零极点跟随宽负载范围

分类 [建筑科学][建筑技术科学]

出版日期 2024年06月25日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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