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高纯碳化硅粉料的制备工艺优化及其性能研究

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摘要摘要：本文聚焦于高纯碳化硅（SiC）粉料的制备工艺优化及其性能研究。鉴于SiC材料在半导体、陶瓷、航空航天等高科技领域的广泛应用，其粉料的纯度与性能对最终产品的性能具有决定性影响。通过对比多种制备工艺，选择了化学气相沉积法（CVD）和改进的自蔓延合成法作为重点研究对象，针对反应条件、原料预处理、后续处理等多个环节进行了详细的工艺优化。此外，还深入分析了不同工艺参数对SiC粉料性能的影响机制，为进一步优化提供了理论依据。

DOI 5jo2o9xqz4/8697536

作者王宝良杨帆姜克勇

机构地区新疆天科合达蓝光半导体有限公司 832000

出处《科技新时代》 2024年15期

关键词高纯碳化硅粉料制备工艺优化性能研究

分类 [建筑科学][建筑技术科学]

出版日期 2024年10月10日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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