摘要
摘要：第三代半导体材料GaN器件以其开关速度快、临界电场高、高热导率等特点在新能源汽车、航空航天、电力电子和无线通信等领域发挥重要作用并被广泛应用，因此受到众多生产厂家关注并开始竞相研发和量产。开关器件在长时间高电压大电流状态下会承载较大的功率，面对突然的过压或过流都有可能导致开关器件过载而失效。因此，如何保证开关器件在特定条件范围内可靠地运行，安全工作区是一个重要的评判标准。本文以GaN器件为例，阐述功率半导体安全工作区的测试方法。同时因为SOA作为一种极限应力参数的实验，可能对板件造成不可修复的损坏，从而影响实验进度同时造成资源的浪费，本文提出一种新的实验方案同时设计新的实验电路板，在保证实验数据准确性的同时，满足可被测品易于更换，主电路板在被测品失效的条件下不受损坏的要求。
出版日期
2024年11月27日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
