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非晶壳层SixN/SiyC包覆硅量子点的微结构表征

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摘要通过磁控溅射技术和1100℃的高温后退火处理,在富硅碳化硅薄膜中形成高密度小尺寸的硅量子点,硅量子点的结构由X射线光电子能谱和高分辨透射电镜进行表征,结果表明,在高温退火过程中,碳化硅薄膜发生了相分离,硅和碳的化学结合态在热力学的驱动下形成稳定的Si-Si键和Si-C键,同时,氮原子钝化了分解过程中形成的Si悬挂键,在硅量子点的表面形成SixN/SiyC非晶壳层。这种非晶壳层包覆量子点的结构配置非常有利于形成稳定的超小硅量子点（1-3nm）,此结构的量子效应所产生的光吸收了从绿光到紫外光的光谱范围,大幅度提高光伏太阳能电池的光电转换效率。

DOI pj0e8xvx4y/928299

作者畅庚榕;马飞;马大衍;徐可为

机构地区不详

出处《纳米科技》 2010年5期

关键词硅量子点碳化硅薄膜 X射线光电子能谱

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2010年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

纳米科技

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硅量子点碳化硅薄膜 X射线光电子能谱

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