简介：摘要本文回顾了HfO2及其MOS结构的辐照损伤效应研究进展，介绍了HfO2/Si系统的本征特性及其在辐照作用下的陷阱电荷特性及物理化学特性研究的主要成果。
氧化铪栅介质及其金属-氧化物-半导体结构的辐照总剂量损伤效应研究进展
