简介：摘要IGBT等高压功率半导体器件是电力电子技术的基础和核心，其具有阻断高压的能力，而器件阻断高压的能力主要取决于器件结构中特定的PN结反偏时的击穿电压。为了提高器件的击穿电压，结终端结构应运而生。结终端结构能够较小局部电场，提高表面击穿电压及可靠性1。目前主要的终端结构由场限环2、场板3、横向变化掺杂4以及结终端扩展5等等，为了了解国内IGBT领域的结终端技术的发展情况，本文作者利用分类号和关键词，对该领域的中国专利申请数据进行了统计分析，下面从申请量变化趋势、区域分布、省市分布、法律状态等多个方面进行分析。
IGBT领域结终端技术专利分析
