简介：高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ－Al2O3/Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在我们的实验室生长出γ－Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们的结晶关系是（100）γ－Al2O3/／Si，[010]γ－Al2O3//[010]Si。
硅上异质外延氧化铝的X射线测试分析
