简介：摘要：使用MOCVD方法在Ge（100）衬底上生长GaInP外延材料，在室温下，研究了Sb掺杂对GaInP有序度的影响，PL测试结果显示：未掺入Sb时，峰值波长(WLP)为683nm，禁带宽度(Eg)为1.814eV，Sb掺杂有效量为13.8时，WLP为652nm，Eg为1.903eV，Eg展宽89meV。测试结果表明，Sb掺杂显著降低了GaInP的有序度，并引起PL光谱的蓝移和Eg的增大，但Sb掺杂没有引入新组分相。这种变化主要归因于Sb原子的引入破坏了Ga和In原子的有序排列，导致材料的晶体结构趋于无序化。
MOCVD生长GaInP外延层的有序度研究
