简介：
简介：制备分析样品的方法：将欲被分析的杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离；分析杂质的方法：将杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离；再对分离的物质进行分析；制备高纯磷酸的方法：从待净化的磷酸中单独沉积出杂质并进行分离；制备半导体元件的方法：用磷酸作处理液，该磷酸的杂质含量(由所含的放射性元素Pb，Bi和Po的浓度确定)，不大于10^-3Bq/ml(Bq，贝克勒尔，放射性单位)。
高熔点的密封材料
生产半导体元件用专用级高纯磷酸的制备
