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Ga2O3材料制备方法的研究进展

作者：刘博聂晓渊李慧王彤鑫林明鸿
学科：
创建时间：2023-04-14
出处：《中国科技信息》 2023年第4期
机构：（吉林建筑大学电气与计算机学院）

简介：摘要：作为一种新兴的超宽带隙半导体，氧化镓（Ga2O3）受到了广泛的关注。高质量的块状晶体和薄膜是结构、电学和光学特性的基础研究和进一步器件制造的起点，为了实现高性能的Ga2O3基器件，必须通过控制载流子密度、缺陷密度和界面密度来制备高质量的Ga2O3薄膜和单晶。在本文中，我们将简要概述大块单晶合成以及不同外延生长技术的特性和研究进展，并指出了目前研究中存在的困难和挑战。
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