简介：摘要本文以T型衰减网络结构为基础，设计且仿真了微波薄膜衰减片，运用BeO基片上，运用磁控溅射法，制备了TaN微波薄膜衰减片，成功制备了微波同轴衰减器。经最终仿真结果可知，在DC~3GHz工作频率内，所设计的微波同轴衰减器衰减量为12dB，输入端口的电压驻波比＜1.1。经测试得知，在DC~3GHz工作频率内，所制备的微波薄膜衰减片衰减量为（12.0±0.4）dB。
12dB微波同轴衰减器的设计
