简介：<正>据美国物理学家组织网1月31日报道,近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)纳米电子学与结构(LANES)实验室称,用一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料制造半导体,或用来制造更小、能效更高的电子芯片,在下一代纳米电子设备领域,将比传统的硅材料或石墨烯更有优势。研究论文发表在1月30日的
简介：<正>近日,应用材料公司拓展了其AppliedEnduraAvenirRFPVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%
简介：<正>丰桥科技大学(ToyohashiUniversityofTechnolog)最近演示了如何将GaN发射器和其他光学材料集成到硅衬底中。研究人员称已经解决了硅和Ⅲ-Ⅴ族材料晶格失配的问题,从而使未来硅芯片上引入光学部件成为可能。硅光子学已经验证了大部分的光学功能,包括波导、谐振和开关,但是对于
辉钼有望代替硅成为新一代半导体材料
应用材料公司拓展RFPVD技术实现22纳米晶体管触点制造
日本Toyohashi科技大学研究人员发明整合硅与Ⅲ-Ⅴ族材料新方法
