简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。新的E系列器件采用VishaySiliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现
简介：<正>日本综研化学与神户大学教授森敦纪共同开发出了用于有机太阳能电池和有机FET等的有机类p型半导体材料P3HT的新合成方法。今后,将推进开发量产化技术。据双方介绍,该合成法还可用于开发P3HT以外的有机半导体高分子材料。原来的做法一直采用Dihalogen体作为起始原料合成P3HT,所以需要在低
Vishay大幅扩充E系列650 V N沟道功率MOSFET家族
ST推出MDmesh V功率的MOSFET晶体管
综研化学和神户大学开发出p型半导体P3HT的新合成法,可用于有机太阳能电池
