简介：摘要：本研究探索等离子硫化技术在 Cu₂S 薄膜制备中的应用与原位形成机理，在不同条件下用等离子硫化法处理铜基材料，分析硫化过程中铜离子与硫源反应机制。实验表明等离子体能有效促进硫化反应，在薄膜表面形成高质量 Cu₂S 薄膜，还发现等离子体功率、硫源浓度和反应时间等因素对 Cu₂S 晶体结构、厚度及均匀性有显著影响，基于此提出反应路径和机制，为优化工艺提供理论依据。
等离子硫化技术在Cu2S薄膜制备中的原位形成机理研究
