简介：SOI器件具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等体硅器件不具备的优点，SOICMOS技术开始用于深亚微米高速、低功耗、低电压大规模集成电路应用？但SOI技术还面临浮体效应、自加热效应等问题的挑战。作为SOI模型国际标准，BSIM3SOIv1．3提出了新的模型参数解决方案。BSIMPDSPICE器件模型是基于物理意义的模型，是在体硅MOS器件模型工业标准（BSIM3V3）的基础上开发而成，BSIMPD针对SOI固有的浮体效应引起的动态特性，自加热和体接触提出相应的模型参数：
SOI技术问题和BSIM3SOIv1．3模型参数特点
