简介：本文闸述一种被称作双模式绝缘栅晶体管（BimodeInsulatedGateTransistor，缩写为BIGT）的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进展。介绍了一种采用BIGT技术制造的额定电流超过2000A的3300VHiPak模块，给出了静态、动态特性的测试结果以及棚关参数，这反映出采用新技术后器件的基本性能将要达到的水平。本文还涉及器件的安全工作区、软度、可靠性等其他方面的性能，测试时的结温最高达到150℃。此外，首次给出丁在硬开关频率条件下的BIGT的性能。
额定电流超过2000A的下一代3300V BIGT HiPak模块
