简介:采用反相方法测试台架在实际工作条件下,对ABB公司提供的实验性3.3kVIGCT进行了特性测定。这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小,开关损耗也降低了。这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世,它们可以用于较高开关频率(超过1kHz)和大电流工况,以改善大功率变换器的性能。
采用反相方法测试台架测定3.3kV IGCT的特性