简介：由地可配置的nanogranularSiO2的基于的离子/电子的混合synaptic晶体管gated拍摄的indium–zinc-oxide(IZO)被报导。设备展出了上面的高当前的开／关比率107,∼14cm2V−1s−1和∼80mV/decade的一个低次于最低限度的秋千。门偏爱将在隧道/电介质接口调制在质子和电子之间的相互影响。由于在nanogranularSiO2电影以内的短暂质子流动的动态调整，隧道电流将动态地被修改。短期的synaptic粘性例如短期的potentiation和短期的消沉，在建议IZOsynaptic晶体管上被模仿。结果显示这里建议的synaptic晶体管在未来neuromorphic设备有潜在的应用。
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