学科分类
/ 1
10 个结果
  • 简介:本专利所述的CaP型半导体基板用于红光发射的元器件,其制造方法是先生长n型单晶,此单晶含有1.0×10^16个原子/c.c,用B203并含有≥200ppm的H20作为封装液体来用查理斯基封装法(Czochraskimethod)封装,生成一种CaP和P型CaP层在半导体的表面上。N型CaPn型层可掺杂入S,P型CaP可掺杂O或Zn。

  • 标签: 磷化镓 半导体 制造方法 查理斯基封装法