简介：采用化学气相沉积法（chemicalvapordeposition，简称CVD）不仅可以制备金属粉末，也可以制备氧化物、碳化物、氮化物等化合物粉体材料。该法是以挥发性的金属卤化物、氢化物或有机金属化合物等物质的蒸气为原料，通过化学气相反应合成所需粉末，因其制备的粉末纯度高，比表面积大，结晶度高，粒径分布均匀、可控，在粉体材料制备方面的应用日趋广泛。该文主要介绍CVD技术制粉的形成机理和研究进程。CVD法制粉主要包括化学反应、晶核形成、粒子生长以及粒子凝并与聚结4个步骤。按照加热方式不同，CVD技术分为电阻CVD、等离子CVD、激光CVD和火焰CVD等，用这4种技术制备超细粉末各有其优缺点，选择合适的气源，开发更为安全、环保的生产工艺，以及加强尾气处理是使CVD法制备超细粉体材料付诸于工业应用的重要保证。

简介：简述了热电偶在测温中的作用以及在测控温过程中易忽视的“小问题”,对这些“小问题”的实验结果进行了理论分析,提出了热电偶正确使用和减小静、动态误差的方法。

简介：将35CrMo钢试样在不同的加热温度和保温时间下进行等温奥氏体化处理，采用正较实验法研究加热温度与保温时间对奥氏体平均晶粒尺寸的影响，并对奥氏体晶粒长大行为进行研究。结果表明：当保温时间一定时，奥氏体晶粒尺寸随加热温度升高而增大，奥氏体晶粒的粗化温度为950℃；当加热温度一定时，奥氏体晶粒尺寸随保温时间延长而增大，保温初期晶粒快速长大，随保温时间延长，晶粒长大速率放缓。综合考虑加热温度、保温时间和初始奥氏体晶粒尺寸的影响，推导出35CrMo钢奥氏体晶粒长大模型，用该模型计算的晶粒尺寸与实验结果基本吻合。