简介：用粒度为63μm和14μm的SiC粉末为原料,在注射温度和注射压力分别为160℃和70MPa、粉末装载量（体积分数）为63%的条件下,获得SiCp注射坯,经过溶剂脱脂和真空热脱脂以及1100℃/7h的真空预烧结后,在1000℃、N2气氛下进行Al合金熔渗,制备高体积分数63%SiCp/Al复合材料电子封装壳体。研究表明,熔渗组织均匀、致密,SiC颗粒均匀分布在Al基体中。熔渗时需要严格控制熔渗时间,熔渗时间超过10min后会导致坯体被Al合金熔体过度熔渗,从而在复合材料表面产生Al合金层,时间越长,Al层厚度逐渐增加。最终制得的高体积分数63%SiCp/Al复合材料封装壳体的尺寸精度优于0.3%,其热物理性能优异,热膨胀系数和热导率分别为7.2×10-6K-1和180W/m·K,密度为3.00g/cm3,能够满足电子封装材料性能的要求。

简介：利用WC，Co，（Ti,W）C，Ti（C,N）等原料粉末，采用1步烧结法制备脱β层梯度硬质合金，利用扫描电镜观察合金表层的微观组织结构，采用电子探针微区分析技术（electronprobemicroanalysis,EPMA）定性分析合金表层的金属元素W、Ti、Co及轻元素C、N的分布规律，采用EPMA定量技术分析金属元素尤其是Co的复杂分布规律，并对其形成机制进行深入讨论。定性分析结果表明：脱β层内W元素的含量稍高于合金芯部的平均W含量；所有含Ti相均已完全脱除；脱β层不仅是缺立方相层，同时也是富Co层；脱β层中C元素的含量略有下降；N元素含量并不为零，某些区域甚至高于芯部。定量分析结果表明：脱β层中Ti元素含量基本为零，但在界面靠近芯部一侧Ti元素含量明显高于芯部的平均值；从合金表层至芯部依次存在低钴层、高钴层及贫钴层3个钴含量不同的区域。合金整个表层钴含量的复杂分布情况是由钴原子的空位扩散机制与液相迁移机制联合形成的。

简介：以Ti-Al的3个化合物相（Ti3Al、TiAl和TiAl3）及Ti3Al8Mn为对象,采用密度泛函的赝势平面波法,在优化驰豫的基础上计算其电子结构和弹性模量,系统分析成分对各相电子结构的变化及脆性的影响。结果表明：Al含量逐步增多导致Al2p—Ti3d成键并抑制Ti—Ti键,使共价键以及成键的各向异性增强,因而使合金脆性增大;Mn替代Al位掺杂后,可减少Al—Al共价键,抑制Al2p—Ti3d成键并增强Mn与Ti的3d电子层杂化程度,降低由Al—Al共价键和Al2p—Ti3d杂化键形成所带来的键的空间各向异性和高位错能垒,进而改善合金的室温脆性。

简介：采用熔体快淬法制备FeSiAl快淬带料;利用行星式高能球磨工艺进行扁平化处理;使用真空管式炉进行氢还原退火处理;采用SEM、PPMS表征试样的形貌及室温磁滞回线;使用矢量网络分析仪测量试样在10~100MHz频段的复磁导率;采用抗干扰性能测试系统测量表征磁片抗干扰的标签读写距离;研究影响FeSiAl粉体材料磁性能的主要因素,并分析了其作用机理。结果表明,采用高低速两步法高能球磨处理,能有效提高薄片状FeSiAl材料的径厚比;氢还原退火处理能有效提高饱和磁化强度和磁导率,降低矫顽力和磁损耗;制备的片状FeSiAl材料在13.56MHz频率附近具有优异的近场通信抗电磁干扰性能。