简介:扩散系数在化工设计和研究中是不可缺少的传递特性.但其数据却相对缺乏,因此需要寻找一种方法来预测这个特性就显得十分重要.利用分子动力学方法模拟了简单流体的自扩散系数.模拟分别采用Green-Kubo法(VACF:velocityautocorrelationfunction)和Einstein法(MSD:meansquaredisplacement).模拟结果与实验数据吻合较好,误差在10%左右.两种方法的平均值与实验结果误差在7%左右.同时还模拟了流体自扩散系数随温度的变化关系.结果表明,自扩散系数与温度满足Arrenhius关系,数据相关性在0.99以上,计算得到的自扩散激活能分别为1258J/mol(VACF)、1272J/mol(MSD)和平均值1265J/mol.
简介:现在多晶硅晶锭生长工艺的主要特点是:长晶方向为由下往上,这就使得分凝系数大于1的极少部分金属原子及氧原子集中分布在晶锭底部,大部分分凝系数小于1的金属原子及大部分非金属原子分布在铸锭的顶部,这使得少子寿命呈现低部和顶部低、中间高的分布趋势;同时,由于坩埚及SiN粉末中金属杂质的扩散,多晶硅晶锭四周晶棒靠坩埚面少子寿命偏低。目前国内外关于电池片的少子寿命与电池质量关系的研究报道很多,但是尚没有把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命,以及晶锭不同位置对应电池片质量相关联起来的研究报告。本文通过精细的试验安排、测试分析及总结,把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命及其对应电池片质量相互关联起来,同时找到了电池端电池片质量差异较大的最根本原因,并且通过试验从根本上给出了提高电池端电池片质量稳定性的方向,提高多晶收率的同时提高了电池片平均效益0.2%。