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  • 简介:前言随着数码相机等高科技产品在市场上的普及,近几年来光学镜片加工行业也得到了迅猛发展。清洗工艺是光学镜片加工生产过程中重要的一环。目前国内光学玻璃加工厂家常规采用的透镜加工工艺大致如下:玻璃毛坯-切削-研磨抛光-清洗-求芯(磨边)-清洗-镀膜-清洗-接合-涂墨。本文针对其中的镜片清洗工艺及其配合使用的清洗剂的不同特点,进行了论述。

  • 标签: 光学玻璃 透镜 清洗工艺 清洗剂 选型 研磨工序
  • 简介:<正>日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首家实现了压铸模类型、225℃高温下工作,并可与现在使用Si器件的模块同样实现小型和低成本封装,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。这种模块是600V/100A三相变频,搭载了罗姆的6个SiC-SBD和6个SiC沟槽MOSFET,经验证工作温度可高达225℃。此外,该模块使用范围可达1200V级。因此,与传统的Si-IGBT模块相比,其损耗大大降低,不仅可实现小型化,而且与以往的母模类型SiC模

  • 标签: 压铸模 SiC 耐热树脂 变频驱动 罗姆 功率模块
  • 简介:先进节点逻辑集成电路制造是当前工业界的领先工艺。为实现接触(Contact)层的光刻工艺,需要从两个关键方面进行处理:解析度和全间距的共有工艺窗口。离轴照明+相移掩模+亚解析度辅助图形多种解析度增强技术的组合使用是解决光刻成像的方法。从优化接触层离轴照明的类型方面解决光刻制造工艺的问题。

  • 标签: 离轴照明 照明类型 工艺窗口 掩模误差增强因子
  • 简介:在集成电路生产测试过程中,在不同测试系统上互相移植程序,对发挥测试系统的利用效率、测试分析验证等具有重要意义.本文通过试验对在移植过程中应注意的问题作一探讨.

  • 标签: 集成电路测试 程序移植 测试系统
  • 简介:<正>中国社科院金融研究所杨涛认为,互联网金融从未颠覆过传统金融,只是对传统金融在功能上进行升级和完善在10月12日举办的首届中国科技金融促进高峰论坛上,中国社会科学院金融研究所金融市场研究室主任、支付清算研究中心主任杨涛做了名为"新技术引领下的金融体系变革及支付市场创新"的主题演讲。其中,就互联网金融的内涵、功能,以及互联网金融对金融体系的冲击和挑战,杨涛进行了系统性的分析和深入的探讨。近年来,以互联网为代表的新技术,特别是移动支付、社交网络、搜索引擎和云计算等,已经开始对既有金融模式产生巨大冲击。

  • 标签: 金融信息 支付清算 体系变革 杨涛 移动支付 社交网络
  • 简介:分析了使用半电波暗室测量不同距离处辐射场强之间的换算关系。首先介绍基于对数距离路径损耗得到的经验模型,然后通过计算不同发射/接收天线间距的归一化场地衰减(NSA)差值,得到了对同一场地和不同场地的不同测试距离处辐射场强理论模型。对不同场地的工程模型进行讨论,并且使用实验数据分析了不同测试距离处辐射场强的换算关系。实验结果表明,不适宜引入确定性修正因子,对待测物在3m和10m法半电波暗室的测试结果进行转换。

  • 标签: 电磁兼容 半电波暗室 归一化场地衰减 辐射场强
  • 简介:1.前言随着PDA和笔记本电脑的发展普及,用户希望能够随时随地上网,一个新的市场——“宽带无线游牧/移动接入”正在兴起。宽带无线接人技术面向一个固定和移动通信融合的新市场,它可提供与宽带有线固定接人并行的宽带无线接入业务,支持游牧和移动应用。

  • 标签: 宽带无线接入技术 WIMAX LTE 宽带无线接人 笔记本电脑 移动接入
  • 简介:不同成分Sn-Pb凸点为研究对象,分析回流次数对凸点IMC生长的影响。试验结果表明,多次回流中,5Sn95Pb凸点的剪切强度变化幅度最大,其余凸点抗剪切强度波动范围较小。凸点界面处IMC层厚度值均逐渐增大,其中3Sn97Pb和5Sn95Pb凸点界面处的IMC厚度增加速度较慢。界面IMC层晶粒尺寸逐渐增大,10次回流后,3Sn97Pb和63Sn37Pb凸点界面处观测到长轴状凸起,5Sn90Pb和10Sn90Pb凸点界面处IMC层呈现出较为平坦的形态。

  • 标签: 倒装焊 Sn-Pb凸点 多次回流 IMC生长
  • 简介:摘要:氮素是植物生长发育不可或缺的物质。雪茄作为一种高含氮量的烟草,其烟叶内氮素含量对其有着极为重要的作用。本文综述了雪茄烟叶在生长发育、调制及发酵阶段氮素合成代谢与调控机制,并对如何合理控制烟叶中氮素水平进行了展望,以期为今后山东雪茄烟叶的品质提升奠定理论基础。

  • 标签: 雪茄 氮素 生长发育 调制 发酵
  • 简介:文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件,并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,其有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85%以上。并研究了退后处理对器件性能的影响,并发现快速热退火有利于薄膜的晶化,降低缺陷态密度。

  • 标签: ZnO—TFT 透过率 快速热退火