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  • 简介:预见到未来对大批量晶圆粘合剂和涂层应用的需求,得可已三倍增强其获奖DirEKtCoat技术的工艺能力。DirEKtCoat晶圆涂层工艺达到Cp〉2@+/-12.5μm和7微米的总厚度差(TTV),有效地满足了薄晶圆产品目前和未来的需求。

  • 标签: 技术 涂层工艺 工艺能力 粘合剂 晶圆 大批量
  • 简介:在电子政务建设过程中,每一个政府部门要做到在该类系统要素的标准规范和统一规划引导下,大量的资源逐渐被方便地共享,同时也极大地提高应用领域的工作效率。做到这一点,必须推进电子政务业务应用系统的协同。在下一阶段的电子政务应用系统建设中高度重视系统的协同问题。

  • 标签: 业务应用系统 电子政务建设 协同 应用系统建设 统一规划 标准规范
  • 简介:<正>5月28-29日举办的这场3D打印产业发展与应用技术论坛,得到了深圳市委市政府的高度重视。其中,陈彪副市长对论坛亲自做出批示,深圳市发展和改革委员会、深圳市科技创新委员会,还有深圳市经济贸易和信息化委员会都是本次论坛的支持指导单位。深圳市经济贸易和信息化委员会在给到本次论坛的回函中表示:3D打印作为第三次工业革命关键技术,使制造模式发生革命性变化,将深刻改变传统机械化集约生产方

  • 标签: 产业发展论坛 指导单位 制造模式 信息化委员会 陈彪 应用技术
  • 简介:在集成电路生产测试过程中,在不同测试系统上互相移植程序,对发挥测试系统的利用效率、测试分析验证等具有重要意义.本文通过试验对在移植过程中应注意的问题作一探讨.

  • 标签: 集成电路测试 程序移植 测试系统
  • 简介:业界领先的高性能互动多媒体混合信号系统级芯片供应商埃派克森微电子日前宣布:推出业界唯一的8-PIN最小封装、支持DPI调节的3D4K单芯片光电鼠标芯片A2638以及“翼”系列2.4G无线鼠标方案的第二代产品ASM667高性能模组。这些产品经过近3个月业内数十家广大厂商的小试和批量生产反复验证,获得热烈反响,

  • 标签: 系统级芯片 电脑外设 成本 技术 产业 定义
  • 简介:<正>中国社科院金融研究所杨涛认为,互联网金融从未颠覆过传统金融,只是对传统金融在功能上进行升级和完善在10月12日举办的首届中国科技金融促进高峰论坛上,中国社会科学院金融研究所金融市场研究室主任、支付清算研究中心主任杨涛做了名为"新技术引领下的金融体系变革及支付市场创新"的主题演讲。其中,就互联网金融的内涵、功能,以及互联网金融对金融体系的冲击和挑战,杨涛进行了系统性的分析和深入的探讨。近年来,以互联网为代表的新技术,特别是移动支付、社交网络、搜索引擎和云计算等,已经开始对既有金融模式产生巨大冲击。

  • 标签: 金融信息 支付清算 体系变革 杨涛 移动支付 社交网络
  • 简介:分析了使用半电波暗室测量不同距离处辐射场强之间的换算关系。首先介绍基于对数距离路径损耗得到的经验模型,然后通过计算不同发射/接收天线间距的归一化场地衰减(NSA)差值,得到了对同一场地和不同场地的不同测试距离处辐射场强理论模型。对不同场地的工程模型进行讨论,并且使用实验数据分析了不同测试距离处辐射场强的换算关系。实验结果表明,不适宜引入确定性修正因子,对待测物在3m和10m法半电波暗室的测试结果进行转换。

  • 标签: 电磁兼容 半电波暗室 归一化场地衰减 辐射场强
  • 简介:1.前言随着PDA和笔记本电脑的发展普及,用户希望能够随时随地上网,一个新的市场——“宽带无线游牧/移动接入”正在兴起。宽带无线接人技术面向一个固定和移动通信融合的新市场,它可提供与宽带有线固定接人并行的宽带无线接入业务,支持游牧和移动应用。

  • 标签: 宽带无线接入技术 WIMAX LTE 宽带无线接人 笔记本电脑 移动接入
  • 简介:不同成分Sn-Pb凸点为研究对象,分析回流次数对凸点IMC生长的影响。试验结果表明,多次回流中,5Sn95Pb凸点的剪切强度变化幅度最大,其余凸点抗剪切强度波动范围较小。凸点界面处IMC层厚度值均逐渐增大,其中3Sn97Pb和5Sn95Pb凸点界面处的IMC厚度增加速度较慢。界面IMC层晶粒尺寸逐渐增大,10次回流后,3Sn97Pb和63Sn37Pb凸点界面处观测到长轴状凸起,5Sn90Pb和10Sn90Pb凸点界面处IMC层呈现出较为平坦的形态。

  • 标签: 倒装焊 Sn-Pb凸点 多次回流 IMC生长
  • 简介:摘要:氮素是植物生长发育不可或缺的物质。雪茄作为一种高含氮量的烟草,其烟叶内氮素含量对其有着极为重要的作用。本文综述了雪茄烟叶在生长发育、调制及发酵阶段氮素合成代谢与调控机制,并对如何合理控制烟叶中氮素水平进行了展望,以期为今后山东雪茄烟叶的品质提升奠定理论基础。

  • 标签: 雪茄 氮素 生长发育 调制 发酵
  • 简介:文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件,并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较,得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异,其有较好的c-axis(002)方向择优取向,器件的平均透过率在85%以上。并研究了退后处理对器件性能的影响,并发现快速热退火有利于薄膜的晶化,降低缺陷态密度。

  • 标签: ZnO—TFT 透过率 快速热退火