简介：IEEE802．16是为制订无线城域网标准而专门成立的工作组，该工作组自1999年成立以来，主要负责固定无线接入的空中接口标准制订。为了推广基于IEEE802．16和欧洲电信标准组织（ETSI）高性能无线城域网（HiperMAN）协议的无线宽带接入设备，并且确保他们之间的兼容性和互操作性，2001年4月，由业界主要的无线宽带接入厂商和芯片制造商共同成立了一个非营利工业贸易联盟——全球微波接入互操作性（WiMAX）组织。

简介：在分析AIGaN／GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上，研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高电子密度下电子会向量子限制较弱的退局域态转移。同时还经由热电子隧穿而跃迁到表面态。在低电子密度下，沟道阱产生畸变而蜕化为三维态。运用这一电子态转换模型解释了输运噪声特性随电子气密度的变化。最后指出剪裁沟道右势垒可以弱化高、低电子气密度下输运和噪声性能的衰退。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：为巩固太阳能事业在上游料源的布局及强化技术发展，友达光电宣布旗下的友达晶材将于台湾加工出口区中港园区兴建太阳能晶圆厂，第一期工程动土典礼于2月11日举行，预计今年8月机台设备将可进驻，第四季进入量产阶段，第一期产能将达到300MW多晶硅锭（MulticrystallineIngots）及多晶硅片（MulticrystallineWafers）。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

简介：摘要在太谷全县域内建设“山西农谷”是山西省委、省政府立足实际、着眼“三农”长远发展和全面建成小康社会大局作出的战略部署，而建设好“山西农谷”的重要一环就是新时代农业技术推广工作要与时俱进，在服务农谷与服务农民中发挥好新的承接作用。本文就如何开展好农业技术推广工作，结合“山西农谷”的建设方针、发展现状等展开论述。

简介：摘要随着时代的发展，现在人们大多是通过APP来联系的，各种交友软件出现在人们交际圈里。渐渐的人和人之间现实的联系却少了。生活中的人也越来越趋向于独自一人去做自己喜欢的事。目前一般交友软件只是提供聊天功能等，而“陌友携手”项目旨在以共同点为纽带，通过APP将具有共同兴趣，需求的人联系起来，本文通过分析其优势，对大学生约饭交友平台进行分析，以供读者参考。

简介：摘要电子信息工程利用内部软件与硬件设备共同完成对信息处理工作。电子信息工程已经渗入人们生活、工作的方方面面，便利了人们的生活。21世纪是信息化时代，每个人每天都需要接触大量信息，计算机网络技术应用于电子信息工程之中，能够激发电子信息工程的能力，使得更多海量信息更快速地传递到人们手中。本文首先介绍了电子信息工程应用计算机网络技术的优势，进而探究了计算机网络技术在电子信息工程中的应用，希望能为我国电子信息工程的未来发展提供参考意见。