简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。
简介:针对时分半双工的单向传输中继协同系统,提出一种结合模拟网络编码(ANC,analognet-workcoding)技术的选择式中继转发机制,中继站根据其对当前帧及上一帧发端数据的循环冗余校验结果,在四种可选方案中自适应切换转发策略,既避免误码传播,又保证分集增益最大化。ANC以符号级线性叠加为基本形式,同时引入星座旋转,使进行ANC的两帧数据功率均等且保持完全的区分度。接收机采用自适应的线性检测算法,以最低的解码复杂度有效去除帧间干扰。理论分析及仿真结果表明,同选择式解码转发机制相比,结合ANC的选择式中继转发机制在误块率及吞吐量性能上均具有显著优势,且发端至中继站间链路质量越好,优势越明显。
简介:《信息技术》课程从2000年正式成为国家课程后,它的教育教学及其考试与评价问题,就成为政府教育部门和教育专家学者及广大教师所关注的核心问题,特别是引起了信息技术教育方面的专家学者和教师的深思和探究,人们不禁联想到了《信息技术》课程的高考问题。作为一门国家课程,不是研究要不要进入高考的问题,应该研究怎样进入高考的问题。高考是国家最重要的选拔考试,《信息技术》课程是最具有创新意义的课程,它的考试如果继续沿用传统的考试模式,它将失去其创新的意义。受李艺教授等研究的启示,根据《信息技术》课程的特色设计了两款通用的实践性考试题目与李教授等各位专家和广大教育同仁讨论之。