简介:作者在积累氦质谱组合检测中发现存在粗漏漏检现象,美国宇航局2013年2014年的研究报告揭示,各种组合检测复测中均存在粗漏细漏漏检现象。文章对积累氦质谱组合检测和氩粗漏氦细漏组合检测的粗漏检测,提出了确定最长粗漏检测时间的方法;对这两种组合检测和氦质谱检测的细漏检测,综合给出了定量确定和拓展细漏检测最长候检时间的方法,论证了压氦压力不应小于2倍的大气压力,提出了确定预充氦法和预充氦氩法最小候检时间的方法,提出了确定最长细漏检测时间的方法,从而可减少和防止粗漏和细漏漏检;并通过对美国宇航局报告中实例的分析,验证了以上方法的有效性。同时指出漏孔堵塞是造成漏检的原因之一,但不是形成微型元器件高比率漏检的主要原因。
简介:随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用,在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能,满足空间应用的各种需要,文章介绍了空间辐射环境,空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理,主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时,概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术,大大提高了空间应用的超辐射发光二极管(SLD)、超荧光光纤(SFS)光源、1310nm波长的InGaAsP/InP半导体激光器、电荷耦合器件(CCD)、互补性金属氧化物半导体(CMOS)器件的抗辐射性能和可靠性。
简介:提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转(SEU)效应或单粒子传输(SET)效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10%以内。