简介：数字阵列雷达是一种灵活的阵列雷达，可以通过数字技术完成所需的若干功能，尤其是抗噪声干扰等。文章研究了数字阵列雷达在波形选择、接收超低副瓣形成及自适应零点形成技术等方面的实现，以及仿真和性能测试结果。

简介：伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果,深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式,并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施,以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。

简介：存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转，但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构，使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力。同时，对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法，解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固，具有很强的抗单粒子翻转能力。

简介：针对密码芯片在抵抗功耗攻击时存在着效率与安全两个方面的矛盾,文中通过利用奇系数梳状算法对标量进行编码,同时结合预计算方法把椭圆曲线密码标量乘法运算转化为一组小标量乘法运算,并利用基点掩码技术实施抗功耗攻击。性能分析结果表明：与传统的抗功耗攻击方案相比,给出的抗功耗攻击方案不仅可以抵抗多种功耗攻击,并且能够在存储空间和主循环运算量基本保持不变的情况下具有更高效的运算效率,在各种资源受限的应用系统中具有较好的实际应用价值。

简介：随着移动通信服务的不断普及和市场竞争的日益深化，全球范围内的移动通信运营商普遍面临着ARPU值持续下降的局面。为了在市场竞争中保持竞争力，移动运营商纷纷把改善ARPU值的希望寄托于移动数据业务。但是，不管是2G时代的GPRS系统还是3G初期的WCDMA系统，其数据带宽都不足以满足用户对多媒体数据业务的要求。可以说，空中接口带宽的不足成了限制多媒体移动数据业务发展的瓶颈。而这也正是大量移动运营商对以WCDMA为代表的早期3G系统兴趣不足的原因。

简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

简介：随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用，在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能，满足空间应用的各种需要，文章介绍了空间辐射环境，空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理，主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时，概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术，大大提高了空间应用的超辐射发光二极管（SLD）、超荧光光纤（SFS）光源、1310nm波长的InGaAsP／InP半导体激光器、电荷耦合器件（CCD）、互补性金属氧化物半导体（CMOS）器件的抗辐射性能和可靠性。

简介：对于目前空中交通管制系统中产生的影响雷达航迹与飞行计划相关率的因素，可通过优化雷达、计划航迹、拟合雷达和计划的飞行轨迹以及调整相关条件和时机等方法消除。该类方法适用于空中交通管制系统，可有效提高雷达航迹与飞行计划相关率，有助于管制员快速识别空中航迹目标属性。

简介：通过分析质量成本及运行质量成本中预防成本、鉴定成本、内部损失成本、外部损失成本等所包括的具体费用,认为内部损失成本是目前最需要控制的质量成本。对目前集成电路封装工厂封装成品率、制程直通率、6sigma管理水平进行对比,目前集成电路封装工厂质量控制水平已经达到6sigma质量管理要求的5sigma水平。对返工成本进行分析,提出在集成电路封装工厂封装成品率达99.98%的水平下,运用PDCA循环改进过程、提高制程直通率,持续改进、不断提高制程能力,使制程控制水平达到6Sigma管理水平,使质量成本从目前的11%￣15%降低到5%￣10%。

简介：采用Lighttools仿真软件对荧光粉散射特性进行理论分析,提出透光率≥95%的平面高硼硅玻璃作为COB基板。结果显示,在常见的荧光粉粒径大小与浓度下,荧光粉反向散射可达29%。采用高透光玻璃作为基材,增加了荧光粉反向散射光线的利用率,并制作了双面发光的高取光率长条形COBLED并表征其性能参数与可靠性试验。该暖白光3000KCOBLED具有180lm/W高光效,发光角度大于250°,色容差小于5SCDM,可靠性好。与陶瓷基板、铝基板的COBLED结构相比,该结构可提高取光率约15%,有潜力用于大功率LED封装应用。

简介：<正>市场调研公司ICInsights公司降低了对世界半导体市场增长率的预测,把2002年的半导体市场增长率由4%降到了1%,把2003年的增长率从24%降到了15%。ICInsights公司在日前报告中提供了一项分析表明,全球GDP数字将低于先前的预测,这将导致2002年和2003年电子系统销售额和增长率的降低。

简介：企业报价是开展装备定价的基础,报价的合理性直接影响审价结果.分析了价格法规对企业报价工作的有关规定及报价过程中常见问题及要求,并对目前通用的软件报价方法中的功能点耗时率计算方法进行了修正,为提升装备报价的合理性提供了参考.

简介：随机统一多址接入（SHUMA）协议支持Link-16平台通信时隙的动态分配,减少了冲突发生.针对网络节点负载非均衡引起的SHUMA协议性能下降和公平性较差问题,研究了负载非均衡条件下的Link-16协议.在节点负载已知时,提出了基于负载权重的信道接入协议;在节点负载未知时,根据时延和空闲率自适应调整发送概率,提出了空闲率约束的时延自适应信道接入协议.仿真结果表明,该协议显著改善了不同负载节点传输的公平性,能够获得很好的时延和吞吐量性能.

简介：文章实现了一种应用于串行通信中的抗噪声接收电路的设计。UART被广泛应用于在远端设备之间进行串行通信，传统接收电路在位周期的中央对信号进行采样，但是由于各种随机噪声的干扰，会引起数据采样错误，造成通信出错。文章提出的设计方法是利用一个累加器在一个特定窗口周期内对串行数据进行采样并累加，再根据累加和判断出窗口期内正确数据位，从而滤去串行线路上的噪声得到纯净的串行数据，这大大增强了串行通信的可靠性。文章利用Quartus软件对设计进行编译、综合、仿真。仿真结果表明该电路能有效滤去串行线路上噪声，极大增强了接收电路的抗噪声性能。

简介：提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式，并保持输出逻辑电平不变，而当输入端有相同的逻辑值时，C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转（SEU）效应或单粒子传输（SET）效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器，以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性，一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟，以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10％以内。

简介：<正>据德国媒体报道,英飞凌2007年前在中国投资将达12亿美元,在中国员工数也将由现在的1200人增加至3000人。英飞凌发言人目前证实了该消息,公司计划在5年内拿下中国12%的半导体市占率,即

简介：随着产业界要求产品越来越小，越来越轻，运行速度越来越快，对020l元件的使用逐年增加。十个020l元件所占的面积最多只占一个0402元件的三分之一。因此，可以把部件组装得更紧密，从而减小PCB板的尺寸。采用020l元件遇到的主要问题是：随着元件尺寸的减小，工艺窗口也减小了。与1206元件相比，0201的元件已表明其直立的可能性比前者要大9倍，而与0402元件相比，则其可能性要比0402元件大2点5倍。因此，在表面组装020l元件时，要更多注意设计和工艺。总的来说，现已知静态因素(如PCB板和模板设计)比工艺中的动态因素(如印刷参数，贴装参数，回流参数)更能影响缺陷数量。部分动态参数确实能对组装过程产生很大的影响(如在回流焊中空气与氮气环境)，但是总的来说，静态因素对可能产生的缺陷数影响要比动态因素大得多。在此研究过程中，优化组装参数和设计参数对组装参数的影响都以PPM缺陷数表示。本篇论文中集中了研究中的数据和对元件组装时进行的多次评估中搜集的数据。首先在每一加工步骤中工艺参数，然后再对整个过程进行研究。检测的部分工艺参数包括印刷工艺中的印刷压力，印刷速度，模板擦拭频率，及回流焊气体，回流曲线和回流曲线上升速度等。从这些研究中可以得到适应高速的020l组装工艺的可靠的工艺窗口。该窗口已证明能使DPM小于200。

简介：为定量验证岸基对海警戒雷达检测录取性能，提出了低分辨率非相参雷达的海杂波仿真方法。该方法通过分析海杂波与目标的统计特性，基于零记忆非线性变换法给出了符合瑞利分布、相关性可控且具有强杂波调制的海杂波生成法，并给出了信噪比可调、符合斯威林起伏与形态调制和可按规划路径机动的目标生成法。试验结果表明，该方法能较好仿真此类雷达海杂波，可用于检测雷达录取性能与模拟器设计。

简介：以离子交换玻璃波导为例详细分析了渐变折射率分布波导中的自镜像效应,并完成了1×8渐变折射率分布MMI光功分器的设计和特性分析.在理论分析和设计的基础上完成了器件的制作,包括在国产K9光学玻璃上利用K+-Na+离子交换技术和以苯甲酸为交换源在铌酸锂基片上利用质子交换工艺分别完成1×8MMI光功分器的制作.测试表明器件基本实现了光均分功能.

简介：三氯氢硅（SiHCl3）作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种，除采用化学分析方法测试外，通常用生长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻率的主要因素为系统的自掺杂，增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂，但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据，确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程，从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。