简介：注入电流是影响VCSEL偏振特性的重要因素。谊论文通过实验，测量了VCSEL的出射光偏振特性随着注入电流的变化。观察到了两次偏振转换的过程，即随着注入电流的升高出射偏振光由椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光——圆偏振光——椭圆偏振光的过程，并且在变化的过程中电流的变化范围很小。

简介：<正>问题的提出笔者在制造一台高压冲击电流发生器(波形为10/310μs,10/1000μs)时,脉冲的重复周期为1s、2s、3s、4s、5s、6s……20s可调,脉冲的极性要求是正负可变和输出正负极性相间的脉冲。需要一个开关,电路如图1所示,对这个开关的要求是断路时承受全部高压,通路时电流变化率要快,流通电流约100App。

简介：为了满足对直流电流进行检测的同时实现对电流信号缩小的需要,设计了一款电流检测电路,采用CSMC0.5μm120VBCD工艺。不同于传统电流检测电路,该电路直接对电流信号进行处理,输出具有较好的线性度,同时对输入信号基本无影响,并且电路结构较为简单,能够较好地满足IP核应用的需要。通过仿真验证以及流片、测试,证明该电路具有良好的功能性。文中同时给出该电路IP数据提取过程以及后续电路。

简介：对于有机薄膜器件（包括有机电致发光器件（OLED）和有机场效应晶体管（OTFT））,器件的电流机制直接决定了器件的性能,因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄膜器件的电学性能研究较早,但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者的研究结果很不一致。为此,文章以相同的镁银合金（MgAg）为电极,有机电子传输及发光材料八羟基喹啉铝（Alq3）为有机功能层,深入研究了MgAg/Alq3/MgAg器件的电流机制。测试及拟合结果表明,该器件为单电子器件,器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结果表明,随着温度增加器件电流迅速增加,这是因为随温度增加,器件中载流子的浓度和迁移率呈指数上升。

简介：本文通过简单介绍交流、直流电力拖动的发展历史过程中,交流电力拖动的地位由次要转变为主要的过程,和阐述交流变频调速的原理及特性以及与其他调速方法相比较的优势,充分展示了交流变频调速发展的广阔前景。且详述了变频调速的合理应用。

简介：摘要本文设计了一种非接触式电流检测装置。本装置采用STM32作为主控，MPS430为控制器，由漆包线绕锰芯磁环电流传感器，用OPA657芯片制作电流转电压电路将电流转换成电压，再用STM32自带AD模块对产生的电压信号进行采集，使用FFT快速傅里叶变换，将信号离散化。此电流检测分析电路可测电流峰峰值范围为10mA~1A，电流测量精度优于5%，频率测量精度优于1%。

简介：在传统参考电流源的基础上,设计了一种结构更为简单,与电源电压、温度无关的参考电流源,并在此基础上进一步优化了自偏置电路镜像电流的精度,更好地提高整个电路的性能。该电路基于SMIC0.18μmBCDCMOS工艺,使用Cadence仿真软件进行电路仿真。结果表明,在-55~125℃的温度范围内,该电路的输出电流变化不超过3%,并且优化后的电流源镜像精度也得到了大幅度的提高。

简介：众所周知,人们所听到的声音是频率20-20000Hz的声波信号,高于20000Hz的声波称之为超声波,声波的传递依照正弦曲线纵向传播,即一层强一层弱,依次传递,当弱的声波信号作用于液体中时,会对液体产生一定的负压,使液体内形成许许多多微小的气泡,而当强的声波信号作用于液体时,则会对液体产生一定的正压,因而,液体中形成的微小气泡被压碎。经研究证

简介：模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2VCMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。

简介：随着电力事业的发展，电能质量问题得到了越来越多的关注。为了在电能质量装置的设计实验阶段就详细分析和解决其在实际电网中可能遇到的各种问题，设计一种性能良好、可靠且功能多样化的扰动装置就成为必然的需求。文中介绍一种电压等级10kV，容量3MVA的电流扰动装置，主要用于模拟真实电网系统的各种电流环境。装置前端采用单位功率因数的全桥全空整流器，级联H桥拓扑用于产生所需的各种类型电流扰动源。文章着重介绍了装置各项参数的详细设计计算方法，并介绍了基于matlab／simulink的仿真结果，同时证明了文中所提出的设计方法的可行性和该装置投入使用的可行性。

简介：在高速光通信系统中,接收端收到的光信号脉冲强度随通信距离、光纤损耗等因素变化,因此需要检测平均光电流,以确定接收端光功率,对应调整放大器增益,实现不同通信距离情况下光信号的高速接收,避免放大器饱和或者增益不足的情况。提出一种光接收电路中平均光电流检测电路的设计。通过运放钳位光电二极管阴极和采样电路,实现对平均光电流的采样与输出。为克服随机失调对采样精度带来的影响,在运放设计中采用了OOS[1](输出失调存储,OutputOffsetStorage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,实现了失调电压的消除,保证了电流采样精度。所提出的平均光电流检测电路采用0.18μmCMOS工艺进行设计。测试结果表明,在1.25Gbps的通信速率下,实现了7.5%的平均光电流采样精度。

简介：针对IEC61000-3-2：2014版本出版以后的技术发展变化,分析了IEC谐波电流发射限值标准修订中涉及的待测物工况设置要求的新变化。对电视接收机（电视机）的试验条件,自镇流灯谐波电流发射值测试评定程序,带有内置式调光器LED灯具测试要求,涉及LED灯具标准条款的修订趋势,以及谐波电流发射测试技术标准化发展趋势进行了详细分析。对今后在该标准的修订提出了技术层面的意见。

简介：据统计，2003年上半年，马来西亚制造业销售总额共3221亿人民币，比去年同期下降了7％；截止到2003年6月，在制造业受聘的员工有974932人，比去年同期下降了3．8％，2003年前三个月的失业率达3．7％，数百万劳工面临重新就业。

简介：摘要近年来，由于我国对外出口与拉动内需之间的有效转变，产业集聚效应越来越明显，进而对于研究产业的集聚效应的影响因素也越来越得到经济学家的重视，其能够很好的影响到我国经济发展的质量和速度。因此，本文采用文献综述的基本方法对于产业集聚的影响因素进行分类和总结，然后结合企业实例进一步明确影响因素的力度和方向。总之，要确定影响因素与产业集聚之间的内在影响性。因此，本文所研究的基本因素为企业因素、产业因素以及外部环境因素，这些因素基本上包含了企业交易过程中的整个流程，对于研究产业集聚效应影响来说，是基本的研究逻辑。

简介：概述了美军电磁环境效应研究的历史及其概念的演化过程。指出了现有文献资料在电磁环境效应概念定义中存在的问题,提出了电磁环境效应的一般概念,并对如何在狭义和广义层面上理解电磁环境效应作出了解释。

简介：CMOS制程是现今集成电路产品所采用的主流制程。闩锁效应（Latch—up）是指CMOS器件中寄生硅控整流器（SCR）被触发导通后，所引发的正反馈过电流现象。过电流的持续增加将使集成电路产品烧毁.闩锁效应已成为cMOS集成电路在实际应用中主要失效的原因之一。在国际上，EI～JEDEC协会在1997年也制订出了半静态的闩锁效应测量标准，但只作为草案，并没有正式作为标准公布，我们国家在这方面还没有一个统一的测量标准，大家都是在JEDEC标；住的指导下进行测量。文章针对目前国际上通行的闩锁效应测试方法作一个简要的介绍和研究。

简介：本文叙述由电流互感器、PIC单片机、运算放大器等组成的智能漏电流保护器及其硬软件设计。智能漏电流保护器具有大漏电流和小漏电流控制,实现报警与保护作用,并具有缺相保护功能。

简介：通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深）,使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

简介：随着航空航天事业的发展,器件的抗辐照性能变得越来越重要,因此对抗辐照指标的应用测试已显得至关重要。基于FPGA和NI工控机,设计四通道数据采集测试系统,用于监测FIFOSRAM单粒子实验中发生的单粒子翻转（SEU）和单粒子闩锁（SEL）效应。采样率可达50MHz,对器件的读写频率达10MByte/s。该系统可实现对FIFOSRAM单粒子试验过程的远程测控。在监测单粒子翻转的过程中,既监测存储器的SEU效应,又监测了读写指针的SEU效应,并经过实际的单粒子效应测试验证了本系统的可靠性。

简介：闩锁是集成电路结构所固有的寄生效应，这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发，会在电源与地之间形成大电流通路，导致整个器件失效。文章较为详细地阐述了一种Bipolar结构中常见的闩锁效应，并和常见CMOS结构中的闩锁效应做了对比。分析了该闩锁效应的产生机理，提取了用于分析闩锁效应的等效模型，给出了产生闩锁效应的必要条件与闩锁的触发方式。通过对这些条件的分析表明，只要让Bipolar结构工作在安全区，此类闩锁效应是可以避免的。这可以通过版图设计和工艺技术来实现。文章最后给出了防止闩锁效应的关键设计技术。