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  • 简介:通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

  • 标签: 高压SOINMOS 背栅效应 总剂量 抗辐射加固
  • 简介:摘要目前航空空心叶片热成形的工艺参数选择不够合理,使得叶片成形质量欠佳。由于板料较厚且属于加热成形范畴,使得板料的起皱缺陷和拉裂缺陷不容易发生或不明显,而叶片成形后的厚度不均匀和回弹缺陷突出。因此为了深入了解成形工艺参数对叶片成形质量的影响规律,本章以成形时主要工艺参数板料加热温度、摩擦系数、压边力和保压时间作为因子变量,以叶片成形后的最小厚度值量和最大回弹量(Z向)为目标变量,通过控制变量法来研究空心叶片弧成形时的最佳工艺参数区间,为后续的需要最佳的工艺参数组合提供基础。

  • 标签: 航空空心叶片 热冲压 影响因素
  • 简介:<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率

  • 标签: 导通电阻 逆变器 栅源 马达驱动 正向电压 反向恢复时间