简介:随着IC器件等集成度的提高,其I/O数迅速由300上升到1000以上(1521产品已商品化),2000年可2500左右。表面安装技术(SMT)也由OFP迅速走向BGA,并进而把SMT推向芯片级封装(CSP或MCP)。因此,剧烈要求PCB有更高密度相适应,以把高密度元件用先进封装技术安装到PCB上来实现电子产品“轻、薄、短、小”化和多功能化目标。芯片级封装密度的PCB欲完全按目前常规PCB生产技术(含条件)来实现是困难的。因而推动了PCB生产技术的进步与变革。90年代以来,日本首先开发成功各种高密度型印制板(如SLC、B~2it和各公司自命名的牌号),我们把它们归类为集层法多层板(BUMB,Build-upMultilayerBoard)。这一类型PCB是在常规高密度PCB(如双面板、各种多层,像埋盲孔,甚至基板)上的一面(N+a)或双面(a+N+b)用各种集(增)层方法增加1-4层(今后会更多)来形成外表面很高密度的印制板,其密度可在SMT到CSP封装上使用。由于投资少,便可明显提高PCB性能价格比,因而引起全世界PCB业界的注目、研究和生产。由于BUM板首先在日本开发和应用,因而发展尤为迅猛,按JPCA统计(不含MCM—L和C),1996年BUM产值为80亿日元,1997年猛增到215.7亿日元,一年内增加了1.7倍。生产厂家由11家增加到16家,目前欧美也纷纷加入了这个系列。从大量资料和报导上看,BUM
简介:PCB制造过程中的化学镀铜废水,由于络合剂EDTA(乙二胺四乙酸二钠)的存在,影响着末端处理使用化学沉淀方法的处理效果。本文采用溶胶-凝胶法,以泡沫镍片为载体,制得负载型纳米TiO_2催化剂。以制备的负载型催化剂为工作电极,以波长为275.3nm的紫外灯为光源,选择降解物为PCB化学镀铜废水中的EDTA。用自制的光电催化降解反应装置,对光电催化降解PCB化学镀铜废水中的EDTA进行研究;用消解法测定目标物EDTA降解过程的COD变化以计算其降解效率;探讨影响含EDTA废水降解效率的一些因素:如外加电压、溶液PH值、温度等。结果表明,用负载型纳米TiO_2催化剂对化学镀铜废水中的EDTA进行光电催化降解有一定的效果。
简介:介绍了—种快速填盲孔电镀铜工艺,镀液的基本墨目成和工艺条件是:CuSO4·5H3O210g/L,H2SO485g/L,Cl-50ng/L,湿润剂C(环氧乙烷与环氧丙烷缩聚物)(5-30)ml/L,整平剂L(含酰胺的杂环化合物)(3~16)ml/L,加速剂B(苯基聚二硫丙烷磺酸钠)(0.5-3)ml/L,温度23℃,电流密度1.6A/dm2,阴极摇摆15回/min或空气搅拌。研究了湿润剂C,整平剂L和加速剂B对盲孔填孔效果的影响,结果表明湿润剂C与加速剂B用量对填孔效果影响较大,而整平剂L影响较小。加入适量的该添加剂体系到基础镀液中,常规的HDI盲孔(孔径100μm~125μm,介质厚度75um)在表面镀层厚度12μm-15μm时,可以实现填孔率大于95%,得到铜镀层的延展性和可靠性满足印制电路板技术要求。此外,本研究测定了该添加剂体系填孔过程,明确其药水爆发期在起镀的(15~20)min,而且爆发期期间孔内的沉积速度是表面的至少11倍。