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  • 简介:VishayIntertechnology,Inc.日前发布新款采用热增强型PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP,将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7.5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ,同时保持低栅极电荷,在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。

  • 标签: 电压范围 SO-8封装 栅极电荷 导通电阻 N沟道 增强型
  • 简介:随着表面安装技术的飞速发展,印制板的高密度线路制造成了PCB行业的必然趋势之一。目前传统的丝网印刷技术已面临严重挑战,因此使用干膜作为图象转移技术也就日趋普遍。从工艺如度分析,干膜的主要发展趋势包括:高分辨率、较宽操作范围、激光直接成像、湿法贴膜、高性能价格比,以及与基材有良好的粘合力,等等。本文主要介绍干膜分辨率和操作范围的探索。实验中使用的两种干膜F和G均属水溶型负性工作的,每一种干膜都有两种不同的厚度,分别是1.0mil和1.5mil的F干

  • 标签: 最佳分辨率 操作范围 显影温度 曝光量 显影时间 相对误差
  • 简介:凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出硅振荡器LTC6992,该器件是TimerBlox硅定时器件系列的最新成员。LTC6992针对3.81Hz至1MHz的输出频率提供简单和准确的脉冲宽度调制(PWM)功能。该器件的频率可用1至3个电阻器设定,具有保证低于1.7%的频率误差。此外,

  • 标签: 硅振荡器 脉冲宽度调制 输出频率 频率误差 器件 电阻器