简介：VishayIntertechnology，Inc．日前发布新款采用热增强型PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7．5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7．5V下的典型电荷为31nC和22．8nC。
简介：如果您的下一个设计的电路板功耗可以降低25％N30％，甚至更多，是不是很理想？对一些设计而言，这一改善是不错的，但对其他的设计而言，如要使用最新的高性能集成电路而使设计具有竞争力，这就是必需的。为什么呢？因为新的ASIC、SoC和处理器技术都可以用一句话来概括——它们需要散热!
简介：SpansionLLC日前宣布，Fab25工厂～公司在奥斯丁设立的主要生产基地一现在专门用于生产针对无线和其他市场的110纳米浮动门闪存产品。这是Spansion创建以来速度最快的技术升级——从开始产品开发到实现世界级的良品率。
简介：日前，合肥晶合集成电路有限公司（合肥晶合集成）宣布生产的110hm驱动IC单片晶圆的最佳良率再创新高，同时正式通过客户的产品可靠度验证，已经具备量产条件。合肥晶合集成电路有限公司成立于2015年5月19日，是安徽第一家12英寸晶圆代工企业，项目总投资128．1亿元人民币。
Vishay SiliconiX扩展ThunderFET的电压范围
使用闭环电压调节控制降低功耗
Spansion的Fab25将专产110纳米浮动门闪存产品
合肥晶合集成110nm驱动IC单片晶圆已具备量产条件
