简介:国际功率半导体器件与功率集成电路会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs.,缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如,2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23%,北美25%,亚洲14%,日本38%。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行,每年依序更换,
简介:介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法,通过大量的实验及不断的工艺优化,制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片,并已投入批量生产。
简介:传递模塑制造技术被成功应用到600伏范同的集成功率模块(IPM)已经有五年之久。对内部模块结构的进一步改进,例如引线架和散热片的优化以及由于IGBT芯片制造技术的重大改善使载流子存储栅双极晶体管(CSTBT)实用化,这些改进为低成本,高可靠性和热稳定性好的功率模块生产提供可能。最近600伏DIPIPMs的功率已经能达到3.7KW。本文将传递模塑技术进一步扩展,将其用于额定电流从10A到25A的1200VCIB模块,该模块通过1200伏HVIC来驱动和保护。这篇文章将洋细介绍DIPCIB模块的特征和专用1200伏HVIC的功能。对于一个功率为3.7KW的完整逆变器包括三输入整流器,闸流断路器和三输入逆变器以及对基板温度敏感的NTC,所有这些部件通过传递模迥技术被精密封装,可达到UL和IEC所要求的最小怛电和电气间隙。