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  • 简介:DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW~30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW~3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

  • 标签: 封装特性 影响损耗 特性影响
  • 简介:影响SMPS(开关电源)转换效率的因素很多,诸如开关器件特性、SMPS控制器、PCB(印刷电路板)布局和质量。而SMPS中的电阻、电容的寄生特性往往被忽略了。当开关频率超过1MHz时,这些寄生特性会降低整个系统的性能。电阻的寄生特性主要来自它自身的结构和封装。例如,电阻的引线有电感,直插式电阻比引线较短的表贴式电阻的寄生电感大。而电阻封装时两引线的间距

  • 标签: 开关电源损耗 影响开关电源
  • 简介:提出了一种基于扰动信号、且可线性化的非线性系统设计方案,该方案旨在改善带高频逆变器负载的二极管整流电路的功率因数。文中从原理及实验两方面对该方案进行了详细分析,并给出了实际的电路设计方法。

  • 标签: 抖动 死区 功率因数 倍压
  • 简介:实验评估了600V,4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌,SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用,作者考虑选用一种300W,按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果,特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果,本文表明在功率因数校正器设计中,采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

  • 标签: SiC肖特基功率二极管 Boost功率因数校正器 性能评估 电磁干扰 半导体材料