简介：近日，中国科学院半导体研究所科研人员在新型高速直接数字频率合成（DDS）芯片研制中取得突破性进展，采用0．35μm常规互补金属氧化物半导体电路（CMOS）工艺，研制出合成时钟频率达2kMHz的新一代不需要只读存储器的低功耗直接数字频率合成（ROM-LESSDDS）高速芯片。目前，这种CMOSDDS结构方式的芯片速度指标处于国际同类芯片领先地位，此前国际上报道的类似芯片的合成时钟频率仅为1．2kMHz。

简介：柔性线路板可分为单层，双层，多层（可达6层），多层中空（AirGap），带异方性导电胶（免除ACF），高密度微线路COF（ChipOnFilm）。其中单层更可分为：简单单层，单层双面接触（假双面），窗口型（裸空型），反折型及露空手指型。因应不同需要及成本考虑，采用不同结构设计。

简介：明年3G牌照发放前，完全拥有“中国芯”的新一代手机可望诞生。近日从上海锐迪科微电子（RDA）公司获悉，其在国内独立开发并拥有自主知识产权的第三代移动通信TD—SCDMA终端射频芯片研制成功，目前应用该款芯片的手机制造和调试进展顺利。

简介：由ReedElectronicsResearch出版并由In—Stat发行的报导中最新数据显示，2005年全球非娱乐汽车电子产品市场价值估计为368亿美元，且其2010年预计将达521亿美元。

简介：韩国电子界日前成功开发出了使用光纤传输数据的电脑主板，其传输带宽比起传统的铜线主板有了“质”的提高，这一新技术的关键是在主板的环氧印刷电路板上嵌入了光纤和铜线。

简介：“高压变频器市场需求依然很大，但外资企业一直独占鳌头，打破国外企业在大功率、超大功率高压变频器的垄断地位，是眼下国内电气企业发展的重点。而高压变频器中采用的功率器件，一直是我国高压变频器技术发展的瓶颈。”近日，中国电器工业协会变频器分会秘书长赵相宾表示。

简介：多电平变换器作为一种应用于高压大功率变换场合的新型变换器，其电路拓扑和PWM控制方法是当前的一个研究热点。本文以中间直流电压源为同发点，发出了一种新的拓扑结构分类法，并对各种拓扑结构进行了分析和比较，同时给出了各种拓扑结构的优缺点。

简介：世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）通力合作，开发的6500VTrenchFSIGBT（沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

简介：在多年的研究基础上，由复旦大学牵头研制的光伏并网逆变装置，通过产学研转化，在“MW级高精度实时控制与电路优化”与“智能电网接入与新能源协调控制技术”等方面取得突破性技术成果，解决了高性能光伏并网发电的核心技术问题。

简介：评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。