简介：明年3G牌照发放前，完全拥有“中国芯”的新一代手机可望诞生。近日从上海锐迪科微电子（RDA）公司获悉，其在国内独立开发并拥有自主知识产权的第三代移动通信TD—SCDMA终端射频芯片研制成功，目前应用该款芯片的手机制造和调试进展顺利。

简介：近日，中国科学院半导体研究所科研人员在新型高速直接数字频率合成（DDS）芯片研制中取得突破性进展，采用0．35μm常规互补金属氧化物半导体电路（CMOS）工艺，研制出合成时钟频率达2kMHz的新一代不需要只读存储器的低功耗直接数字频率合成（ROM-LESSDDS）高速芯片。目前，这种CMOSDDS结构方式的芯片速度指标处于国际同类芯片领先地位，此前国际上报道的类似芯片的合成时钟频率仅为1．2kMHz。

简介：本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。

简介：由ReedElectronicsResearch出版并由In—Stat发行的报导中最新数据显示，2005年全球非娱乐汽车电子产品市场价值估计为368亿美元，且其2010年预计将达521亿美元。

简介：韩国电子界日前成功开发出了使用光纤传输数据的电脑主板，其传输带宽比起传统的铜线主板有了“质”的提高，这一新技术的关键是在主板的环氧印刷电路板上嵌入了光纤和铜线。

简介：本文介绍了弹性波电动机、压电陶瓷微粒移驱动器、超声波电动机、超微型电动机、片式无刷电动机、形状记忆合金执行器等几种微特电机的基本原理、结构、特点以及国内外研制开发和应用的概况。

简介：“高压变频器市场需求依然很大，但外资企业一直独占鳌头，打破国外企业在大功率、超大功率高压变频器的垄断地位，是眼下国内电气企业发展的重点。而高压变频器中采用的功率器件，一直是我国高压变频器技术发展的瓶颈。”近日，中国电器工业协会变频器分会秘书长赵相宾表示。

简介：“关注电子元器件技术及应用，掌握电子元器件行业的全面资讯”是《电子元器件应用》杂志办刊的宗旨。是行业的需求也是市场的需求，更是企业所期待的一本不可缺少的工具书，是科技、产业、应用、市场的完美结合。我们的目标是对卓越永无止境的渴望，对完美永不停歇的追求，求同存异，稳固而知新。

简介：世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）通力合作，开发的6500VTrenchFSIGBT（沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

简介：在多年的研究基础上，由复旦大学牵头研制的光伏并网逆变装置，通过产学研转化，在“MW级高精度实时控制与电路优化”与“智能电网接入与新能源协调控制技术”等方面取得突破性技术成果，解决了高性能光伏并网发电的核心技术问题。

简介：

简介：过去几年里，中小功率的UPS电源设计已经越来越多的采用无变压器电路原理，这不仅使得成本进一步优化，而且将给制造技术带来全新的面貌。随着UPS电源向高功率领域扩展，这一电路原理还不能完全的适用，还需要增添新的原理。本文介绍了关于这一新的电路原理及其控制结构，它使无变压器UPS电源的新潜力得以发挥。文章给出了这一技术的基本层面，并展示了一系列高功率UPS电源的新的研究成果。

简介：

简介：长期以来,降低二氧化碳排放量、遏制气候变化的行动,被认为与经济增长根本对立。事实上,全球经济复苏的脆弱性,常被用作推迟上述行动的理由。但全球经济和气候委员会的最新报告《新气候经济：更好的增长,更好的气候》驳斥了这一说法。该报告指出,对抗气候变化的努力,不但不会阻挠经济增长,反而可以极大地促进增长。只要你研究过2008年金融危机爆发以来的经济表现,就会明白资产负债表受损可能导致增长放缓、突然停止,甚至逆转。

简介：近年来随着电子设备的小型轻量化和高性能化，高密度封装的半导体器件等正在飞速地发展成多针化和窄间距化(见图1)，为此，要求小型轻量化和高密度细线化的印制电路板与此要相适应，方能满足半导体器件高精度封装技术要求。于是在90年代初期，松下电子部品(株)研制和开发出新型的积层式多层板，并实现产量化。并与96年实现全层积层构造(全层IVH构造)的树脂多层印制电板，

简介：有了E—CUT200，奥地利木材行业机械和输送系统专家，施普林格集团，可以为木材生产商提供创新的电控齿轮枢锯臂一有史以来第一个无皮带的型号。它们由驱动器制造商WEG的子公司奥地利减速机专家WattDrive公司开发的，并作为专用产品而制造。E—CUq200还采用了WattDrive公司生产的螺旋锥齿轮减速电机和WEG生产的W22感应电机。

简介：WEG公司宣布将于近期推出一条新的中压驱动器产品线，新产品线被命名为MVW-01，可驱动500至4500马力的中压（MV）电机。

简介：评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。

简介：伴随着“不忘初心牢记使命”、“砥砺奋进继往开来”的中国声音，中国共产党第十九次全国代表大会在万众瞩目中于2017年10月18日开幕了，至此，中国正式进入了“十九大时间”。

简介：IGBT是一种新型的功率器件，经过几代重大技术改革，已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一，除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外，还在开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度，阐述IGBT在器件结构优化、工艺制造、器件封装、可靠性方面的最新进展、存在的问题和可能的解决途径。