简介：半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。
简介：利用核反应^30Si(n,γ）^31Si→β^-^31P，硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值，测得的电阻率分布情况表明，掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明，这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400～5200V的电压阻断容量。
不同碰撞电离模型对击穿电压仿真的影响
用无条纹硅制造的整流管和晶闸管的击穿行为
