简介：利用核反应^30Si(n,γ）^31Si→β^-^31P，硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值，测得的电阻率分布情况表明，掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明，这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400～5200V的电压阻断容量。

简介：

简介：无铅焊接的焊点可靠性问题受到特别重视。采取高低温温度冲击试验和高温试验，可评估Sn—Ag—Cu焊点强度。通过分析Sn-3．5Ag-0．75Cu和Sn-2Ag-0．75Cu-3Bi焊料的性能，可以研究引起焊点强度下降的因素。主要分析方法包括：使用SEM观察焊点结构变化；使用EPMA完成焊点界面合金层的元素分析。本研究通过对焊点结构变化包括Ag3Sn网格结构变化的分析，揭示出结构退化、

简介：印制电路板孔的加工形式有多种工艺方法．而目前使用的最多的为数控机械钻孔。机械冲孔由于精度较差，高精度微孔加工难以完成，而新发展起来的激光钻孔技术，由于设备昴贵也使用较少，因而数控机械钻孔加工仍是印制电路较重要的孔加工工艺方法。由于印制电路板的孔加工质量直接影响其机械装配性能和电气连接性能，因此孔加工是印制电路板不可忽视的重要步骤。要获得精度高、质量好的钻孔效果，因此首先必须对其影响钻孔工艺因素的以下几个方面进行深刻了解和研究。

简介：在所有的电力电子设备中获得最高的转换效率永远是人们追求的头等目标。在一些新标准的规定下目前很多功率转换设备都必须具备有效功率因素校正功能。对电子元件而言额外的功率损耗会增加散热器和整个设备的体积。本文研究的目的就是在不断增加设备成本的情况下将损耗降到最低。

简介：

简介：由于能源调节的持续增长，电源变得越来越复杂。人们意识到需要一个更简单的方式进行设计时，出现了计算机辅助设计工具。这篇文章就论述了此工具如何很快产生一个连续导通模式升压功率因素校正设计的优势。全部设计已经得到证实，并且会提供一些相关的公式。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。